به گزارش پایگاه خبری ربیع،اینتل در مهاجرت به فناوری ساخت ۱۰ نانومتری مبتنی بر ترانزیستورهای FinFET بسیار کُند عمل کرده و از برنامه‌ها عقب است، با این حال هنگامی که این فناوری به طور گسترده به خدمت گرفته شود، ممکن است به آسانی تمامی رقبا را کنار بزند.

یک شرکت خصوصی به نام Tech Insights نمونه‌ای از پردازنده ۱۰ نانومتری Core i3-8121U که به نسل Cannon Lake تعلق دارد را از روی لپ تاپ Ideapad330 لنوو برداشته و پس از جداسازی حرارت پخش کن و پوشش بیرونی قطعه سیلیکونی، آن را زیر میکروسکوپ الکترونی قرار داده که با یافته‌های جالبی همراه بوده است.

بررسی انجام شده با یافته‌های جالبی در مورد فناوری ساخت ۱۰ نانومتری اینتل همراه بوده که مهم‌ترین آنها افزایش ۲.۷ برابری چگالی ترانزیستورها نسبت به فناوری ۱۴ نانومتری است. این دست آورد امکان گنجاندن ۱۰۰.۸ میلیون ترانزیستور در هر میلی متر مربع را به اینتل می‌دهد که خارق‌العاده است. به لطف همین دستاورد اینتل توانسته نزدیک به ۱۲.۸ میلیارد ترانزیستور را در یک قطعه سیلیکونی با مساحت فقط ۱۲۷ میلی متر مربع جای دهد. همچنین مشخص شده فناوری ۱۰ نانومتری اینتل از نسل سوم ترانزیستورهای FinFET بهره می‌گیرد که با بهبودهایی چون کاهش اندازه کانال ها همراه است که مصرف انرژی و کارایی را بهبود می‌بخشد.

تاکنون اینتل بارها نشان داده است فناوری‌های ساخت این کمپانی از بسیاری جهات از فناوری‌های کوچک‌تر رقبا عملکرد بهتری دارند و به نظر می‌رسد با پردازنده‌های ۱۰ نانومتری شاهد تکرار آن خواهیم بود. همین حالا نیز فناوری ساخت ۱۴ نانومتری این کمپانی توانایی به چالش کشیدن فناوری ساخت ۱۲ نانومتری مورد استفاده در نسل دوم پردازنده های AMD Ryzen را داراست.