به گزارش پایگاه خبری ربیع،سامسونگ تولید انبوه نسل پنجم از تراشه‌های حافظه ۳D NAND خود را آغاز کرد. این نسل جدید که تحت برند V-NAND شناخته می‌شود، تعداد لایه‌ها را از ۶۴ به ۹۶ افزایش می‌دهد که به افزایش چگالی آن هم بدون تأثیر بر دوام، پایایی و هزینه‌های ساخت کمک می‌کند.

همچنین تراشه‌های نسل پنجمی V-NAND با بهبود کارایی همراه است، به طور مشخص در این نسل از رابط Toggle DDR 4.0 با نرخ تبادل ۱.۴ گیگابیت در ثانیه استفاده شده است که نسبت به نسل قبل با نرخ تبادل ۸۰۰ مگابیت در ثانیه، یک جهش بزرگ است. همچنین کاهش ولتاژ مصرفی از ۱.۸ ولت به ۱.۲ ولت، به کاهش مصرف آن هم در عین افزایش سرعت کمک می‌کند، به عبارتی دیگر کاهش ولتاژ می‌تواند افزایش مصرف ناشی از افزایش سرعت را خنثی کند. سامسونگ موفق شده تأخیر یا همان وقفه (Latency) در هر دو خواندن و نوشتن را کاهش دهد. در حقیقت با مهاجرت از تراشه‌های ۴۸ لایه به ۶۴ لایه، تأخیر در خواندن تغییری نکرده بود اما حالا به طرز چشمگیری بهبود پیدا کرده و به ۵۰ میکرو ثانیه رسیده است. تاخیر در نوشتن نیز حدود ۳۰ درصد بهبود یافته و حالا ۵۰۰ میکرو ثانیه است.

تاکنون سامسونگ جزئیات زیادی درباره تغییرات فناوری ساخت مورد استفاده برای تولید تراشه‌های حافظه ۹۶ لایه جدید خود ارائه نکرده است. با این حال می دانیم ارتفاع سلول‌ها ۲۰ درصد کاهش یافته است که می‌بایست مانع از تکرار مشکلات تجربه شده با تراشه‌های ۴۸ نانومتری این کمپانی  که به تأخیر در عرضه SSD های جدید انجامید، شود. مهاجرت سامسونگ از تراشه‌های ۴۸ لایه به ۶۴ لایه به دور از هرگونه مشکل خاصی اتفاق افتاد و حالا سامسونگ ادعا می‌کند با تراشه‌های ۹۶ لایه بهره‌وری تولید ۳۰ درصد بهبود خواهد یافت. با این حال مشخص نیست بهبود مورد اشاره دقیقاً به چه چیزی مربوط می‌شود، هرچه که باشد، می‌توان امیدوار بود SSD های مبتنی بر تراشه‌های ۹۶ لایه سامسونگ درست طبق برنامه روانه بازار شوند.

همچنین از این تراشه ها در گوشی های موبایل نیز استفاده خواهد شد که انتظار می رود به کاهش هزینه های ساخت کمک کند